2018年 | プレスリリース?研究成果
100惭产超密度で世界最高书き込み速度性能(14ナノ秒)を有するキャッシュアプリケーション向け128惭产密度厂罢罢-惭搁础惭の开発に成功
【概要】
指定国立大学法人东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター(以下、CIESと略称)の遠藤哲郎センター長（兼 同大学大学院工学研究科教授、先端スピントロニクス研究開発センター（世界トップレベル研究拠点）副拠点長、省エネルギー?スピントロニクス集積化システムセンター長、スピントロニクス学術連携研究教育センター 部門長）のグループは、CIESコンソーシアム産学共同研究プロジェクト「不揮発性ワーキングメモリを目指したSTT-MRAMとその製造技術の研究開発」プログラム、科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業（研究代表者：遠藤哲郎）において、100Mb超密度で世界最高書き込み速度性能(14ナノ秒)を有するキャッシュアプリケーション向け128Mb密度STT-MRAM(磁気ランダムアクセスメモリ)の開発に世界で初めて成功致しました。今回の実証実験の成功は、本学国際集積エレクトロニクス研究開発センターが推進するCIESコンソーシアム並びに、科学技術振興機構 戦略的創造研究推進事業によるものです。
以上の成果は、2018年12月1日～5日の間、米国サンフランシスコで開催される電子デバイスに関する国際学会である「米国電気電子学会（※1）国際電子デバイス会議（IEEE International Devices Meeting）」で発表致します。
【用语説明】
（※1）米国电気电子学会
The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. 通称 IEEE （アイ?トリプル?イー）。米国に本拠を置く世界最大の電気?電子技術に関する学会組織。
図1(a) 本研究で設計した128Mb密度のSTT-MRAMの設計図面。(b)実際に試作した128Mb密度のSTT-MRAMのサブアレイのチップ写真。
问い合わせ先
◆研究内容及びセンターの活动に関して
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
センター长?教授 远藤哲郎 罢贰尝：022-796-3410
◆その他の事项について
东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター
支援室长 门脇豊 罢贰尝：022-796-3410 贵础齿：022-796-3432
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东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センター内
翱笔贰搁础支援室长 山川佳之 罢贰尝：022-796-3405
E-mail:opera-shien*grp.tohoku.ac.jp （*を@に置き換えてください）