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発表のポイント

• 従来材料とは逆の电気特性を持つ次世代不挥発性メモリ用の新材料开発に成功。
• 今回开発した新材料を用いることで、データ书换え时の消费电力を大幅に低减できることを确认。

概要

　东北大学大学院工学研究科知能デバイス材料学専攻の畑山祥吾博士后期课程学生(日本学术振兴会特别研究员)と须藤祐司准教授らの研究グループは、既存材料とは逆の电気特性を示す相変化材料（颁谤₂Ge₂Te₆）の开発に成功しました。
フラッシュメモリの限界を凌驾する、次世代不挥発性メモリとして、相変化メモリ（笔颁搁础惭）が注目されています。しかしながら、现行の笔颁搁础惭に使われている材料は、耐热性が低く、データを书き换える际の消费电力が高いことが课题となっていました。

　今回開発した材料を用いて作製した相変化メモリ(記憶素子)は、フラッシュメモリを上回る高温データ保持性や高速動作性を維持しつつ、データ書き込みの消費電力を大幅に低減できること（90％以上）を実証しました。本成果は、アメリカ化学会の学術誌ACS Applied Materials & Interfacesに2018年1月11日（日本時間）に掲載されました。

论文情报
タイトル：Inverse resistance change Cr2Ge2Te6-based PCRAM enabling ultralow-energy amorphization
著者：Shogo Hatayama, Yuji Sutou, Satoshi Shindo, Yuta Saito, Yun-Heub Song, Daisuke Ando and Junichi Koike
掲載誌：ACS Applied Materials & Interfaces
URL:

図 (a) 本研究で作製した記録素子の動作特性。Cr₂Ge₂Te₆では、低抵抗状态がアモルファス相、高抵抗状态が结晶相を呈する。尚、颁谤₂Ge₂Te₆では30苍蝉、骋厂罢では50苍蝉での电圧パルス幅で动作を行った。
(b) 図(a)の結果より見積もられたデータ書き換えに必要な動作エネルギー。

详细（プレスリリース本文）

• Press release in English

问い合わせ先

（研究に関すること）
东北大学大学院工学研究科　
担当　准教授　须藤祐司　
電話&FAX: 022-795-7338
E-mail: ysutou*material.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）

（报道に関すること）
东北大学工学研究科?工学部情报広报室
電話&FAX: 022-795-5898
E-mail: eng-pr*eng.tohoku.ac.jp（*を@に置き換えてください）